| 設置機関 | 大阪大学 |
|---|---|
| 研究科・学部 | |
| 設備分類 | デバイス > |
| 製造元 | 誠南工業株式会社 (Seinan Industries Co., Ltd) |
| 型番 | PLO-020R |
| 設備名称 | パルスレーザーMBE装置(PLD)(Pulse Laser Deposition System) |
| 装置スペック | 【特徴】 成膜用チャンバー、試料交換用チャンバーを備えた2室構造となっており、高エネルギーレーザー照射によってターゲットから原子や分子を蒸発させ、試料に成膜を行う装置です。 RFスパッタ装置では成膜が難しい酸化物の成膜や、レーザーを制御することでより精密な成膜の制御が可能です。 【仕様】 レーザー波長:193nm(ArF) レーザー周波数、エネルギー:1~20Hz、最大75mJ 試料サイズ:10mm×10mm ターゲットサイズ:10mmφ×5mmt、4個までセット可能 真空度:10-6Pa台 雰囲気ガス:O2(0.02~20Pa) 基板加熱温度:850℃ ターゲット基板間距離:20~50mm |
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