| 設置機関 | 京都大学 |
|---|---|
| 研究科・学部 | |
| 設備分類 | デバイス > |
| 製造元 | サムコ(株) (Samco Inc.) |
| 型番 | RIE-800iPB-KU |
| 設備名称 | 深堀りドライエッチング装置(1) (Reactive Ion Deep Silicon Etcher No.1) |
| 装置スペック | ボッシュプロセスを導入したMEMS用高速シリコンエッチング装置 (13.56MHz,400KHz 電源搭載) ・ボッシュプロセス ・基板サイズ Φ6ウエハ 用途:Si |
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